一、MOS管靜電擊穿原理
MOS管輸入電阻極高，柵-源極間電容極小，易受外界電磁場或靜電感應帶電。依公式U=Q/C，少量電荷能在極間電容上形成高電壓，損壞管子。靜電強烈時，電荷難泄放，致靜電擊穿。靜電擊穿分兩類：電壓型是柵極薄氧化層擊穿，現(xiàn)針孔，使柵極與源極或漏極短路；功率型是金屬化薄膜鋁條熔斷，致柵極或源極開路。JFET管輸入電阻雖低于MOS管，但同屬高輸入電阻器件，靜電防護需重視。
二、靜電擊穿原因剖析及解決策略
（一）原因
MOS管輸入電阻高、柵源極間電容小，易感應帶電。雖輸入端有抗靜電措施，但防護有限。
（二）解決措施
存儲運輸防護：存儲運輸時，用金屬容器或導電材料包裝，避免接觸易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料及化纖織物。
組裝調試規(guī)范：工具、儀表、工作臺應良好接地。操作人員避免穿尼龍、化纖衣物，接觸集成塊前先接地。矯直彎曲或焊接時，設備必須可靠接地。
電路設計優(yōu)化：MOS電路輸入端保護二極管導通電流容限一般為1mA，遇過大瞬態(tài)輸入電流（超10mA）時，需串接輸入保護電阻，可選用內部有保護電阻的MOS管。
焊接注意事項：焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端。通常斷電后利用電烙鐵余熱焊接，先焊接地管腳。
柵極電阻配置：MOS是電壓驅動元件，電壓敏感。懸空的G極易受外部干擾導通，G極接10-20K下拉電阻可旁路干擾信號。此柵極電阻能為場效應管提供偏置電壓，還能瀉放G-S極間靜電，防止高壓致誤動作或擊穿。
三、MOS管靜電擊穿深入分析
靜電放電使MOS管柵極與源/漏極間產(chǎn)生高電場強度，氧化層內電子穿越氧化層形成通道，引發(fā)漏電流。具體分兩種類型：
反向擊穿：施加反向電壓于柵極與源/漏極間，電場強度足夠大時，氧化層電子穿越氧化層，形成導通通道，漏電流增加。
通道擊穿：源和漏極間施加足夠高正向電壓，電場強度足夠大，氧化層電子穿越氧化層，連接源和漏極，短路通道，漏電流增加。
四、防止MOS擊穿的有效措施
增加氧化層厚度：此舉可提高擊穿電壓，降低擊穿風險，但會犧牲設備性能，因厚氧化層減小柵極控制通道效率。
采用防擊穿設計：現(xiàn)代MOS器件運用特殊結構與材料的防擊穿設計，提升抗擊穿能力。
運用靜電保護器件：GS電阻能保護MOS管免受靜電擊穿。它連接柵極與源極，限制柵極電壓上升速度，削弱靜電放電影響，不過也可能影響設備性能。
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