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MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會(huì)繼續(xù)變大嗎
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-28 18:54:03
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MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會(huì)繼續(xù)變大嗎
在MOS管中,柵極電壓控制耗盡區(qū)的形成。MOS管的耗盡區(qū),電流主要由漏極到源極的電流決定。
當(dāng)柵極電壓低于或等于閾值電壓時(shí),漏極和源極之間的耗盡區(qū)存在,導(dǎo)致電流受限。
但當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),MOS管進(jìn)入了放大區(qū)或飽和區(qū),這意味著柵極電壓足夠大以至于完全反轉(zhuǎn)了耗盡區(qū)。
在飽和區(qū)或放大區(qū),MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區(qū)的影響。相反,漏極到源極電流主要由柵極電壓和管子內(nèi)的電場(chǎng)決定。
當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),耗盡區(qū)變窄并形成彎曲,并且在柵極下方會(huì)形成一個(gè)反型層,從而允許更多的電子通過(guò)(從漏極到源極)。
反型層作為漏極到源極的導(dǎo)通溝道。柵極電壓越大,反型層越厚,柵極增加的電壓落在反型層,耗盡層不會(huì)繼續(xù)變大。
MOS管Vg Vth 耗盡區(qū)變大
因此,當(dāng)MOS管的柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),耗盡區(qū)不再起主導(dǎo)作用,而是變得很小。這導(dǎo)致了更高的導(dǎo)通電流,所以耗盡區(qū)不會(huì)繼續(xù)變大。
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