IGBT的電路關(guān)閉時，提到了“換流電路”。
在其中我們提到了一種情況: 當IGBT的集電極電流超過某個閾值時，寄生晶閘管會被鎖定，柵極端子失去了對集電極電流的控制，IGBT 無法關(guān)閉。
于是我們需要進行換流電路，讓晶閘管強制換流。
今天和大家一起來了解下“換流電路”。
換流:電流從一個支路向另一個支路轉(zhuǎn)移的過程稱為換流，也稱為換相。在換流過程中有的支路從通態(tài)轉(zhuǎn)移到斷態(tài)，有的支路從斷態(tài)轉(zhuǎn)移到通態(tài)。
對于器件換流，一般只適合全控器件，即MOSFET或IGBT。在大部分的電子應(yīng)用中采用IGBT進行“換流”的情況更多。
IGBT的應(yīng)用
換流電路主要用于控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷過程，以實現(xiàn)電流的正向和反向流動。
不過要注意，并不是所有的IGBT開關(guān)過程都需要換流，具體要看電路的情況。
根本原因：因為IGBT內(nèi)部集成了續(xù)流二極管，在實際應(yīng)用時，可能是IGBT承載電流，也有可能是內(nèi)部二極管承載電流。
換流電路的應(yīng)用分析
為方便大家理解，我們將換流分出兩種特性：“強制性”與“自然性”。這樣的定義會比較好理解，開頭我們提到的問題，就屬于“強制性”的范圍。如下圖：
A：1轉(zhuǎn)2過程
當1電路穩(wěn)定工作時，如果要將S1關(guān)斷，D4這時就會起接力作用，這時因為負載的存在，負載電流ia無法實現(xiàn)突變。待經(jīng)過死區(qū)時間后（短暫），S4就會打開，ia電流方向不受影響，但電流會逐漸減少。
注意：1轉(zhuǎn)2的過程中，S1被強制性關(guān)斷，會產(chǎn)生關(guān)斷損耗，同時會有關(guān)斷電壓尖峰應(yīng)力；
B：2轉(zhuǎn)1過程
當2電路穩(wěn)定工作時，如果要將S4關(guān)斷（負載電流ia沒有變化），經(jīng)過短暫死區(qū)時間后，S1打開。D4被強迫關(guān)斷，這時S1起接力作用。
注意：D4被強迫關(guān)斷，會產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗，可能會存在一定的電壓尖峰應(yīng)力；同時S1會產(chǎn)生開通損耗，有一定的電流尖峰應(yīng)力；
最后我們來總結(jié)下?lián)Q流在IGBT電路中的作用：
1.強制關(guān)閉IGBT
當IGBT無法正常關(guān)閉時，換流電路可以通過特定的控制方式，強制將IGBT關(guān)閉，避免電路出現(xiàn)故障或損壞；
2.控制電流方向
通過換流電路，控制其正向和反向電流的流動方向，實現(xiàn)電流的正向和反向控制。
IGBT簡介：
IGBT 是一種功率晶體管，它將 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性結(jié)合在一起。 一般我們提及的都是以 N 溝道 IGBT 的基本結(jié)構(gòu)為例進行說明。
它的主要應(yīng)用情況，下圖以輸出容量和工作（開關(guān)）頻率的角度進行歸類。
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