一级毛片免费不卡在线视频-一级毛片免费播放视频-一级毛片免费播放-一级毛片免费-久久爆操-久久爱影院

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國(guó)服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場(chǎng)效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • 五種MOS管泄漏電流與產(chǎn)生原因介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-20 18:47:07
    • 來(lái)源:
    • 閱讀次數(shù):
    五種MOS管泄漏電流與產(chǎn)生原因介紹
    本文介紹了五種MOS管在實(shí)際應(yīng)用中存在的漏電流:反偏結(jié)泄漏電流、柵極致漏極泄漏電流、柵極直接隧穿電流、亞閾值泄漏電流和隧穿柵極氧化層漏電流。這些漏電流會(huì)影響低功耗設(shè)備電池的壽命和s&h電路信號(hào)保持時(shí)間。為了減小漏電流,可以使用高K介電材料替代SiO2作為柵極絕緣體介質(zhì)層。同時(shí),亞閾值泄漏電流在CMOS技術(shù)中較大,可以通過(guò)降低閾值電壓來(lái)減小其影響。
    你不知道的五種MOS管泄漏電流以及產(chǎn)生原因
    在實(shí)際應(yīng)用中,MOS管常常存在各種漏電流,這使得它嚴(yán)重減少了低功耗設(shè)備電池的使用壽命,以及在一些s&h電路中,限制了信號(hào)保持時(shí)間。而一個(gè)理想的MOS管是不應(yīng)該存在任何電流流入襯底的,特別是當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),漏-源極之間不應(yīng)該存在任何電流。
    那么,今天我們來(lái)了解MOS管以下5種漏電流。
    反偏結(jié)泄漏電流
    :當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),通過(guò)反偏二極管從源貨漏極到襯底。
    其主要由兩部分組成:
    1. 由耗盡區(qū)邊緣的擴(kuò)散和漂移電流產(chǎn)生
    2. 由耗盡區(qū)中的產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)形成
    在一些重?fù)诫s的PN區(qū),還會(huì)攜帶一些間隧穿(BTBT)現(xiàn)象貢獻(xiàn)的泄漏電流。不過(guò)源漏二極管和阱二極管的結(jié)反向偏置泄露電流分量,相對(duì)于其他三個(gè)泄漏分量幾乎可以忽略不計(jì)。
    柵極致漏極泄漏電流
    柵極致漏極泄漏電流一般由MOS管漏極結(jié)中的高場(chǎng)效應(yīng)引起的。由于源極和漏極重疊區(qū)域之間存在大電場(chǎng)而發(fā)生隧穿(包含雪崩隧穿和BTBT隧穿),產(chǎn)生了 電子-空穴對(duì)。由于電子被掃入阱中,空穴積累在樓中形成/GIDL。
    柵極與漏極重疊區(qū)域下的強(qiáng)電場(chǎng),會(huì)導(dǎo)致深度耗盡區(qū),以及使漏極和阱交界處耗盡層變薄,因而有效形成漏極到阱的電流/GIDL。/GIDL與VGD有關(guān),一般NMOS的/GIDL會(huì)比PMOS的大兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
    柵極直接隧穿電流
    柵極泄漏電流是由柵極上的電荷隧穿過(guò)柵氧化層進(jìn)入阱(襯底)中形成。一般柵氧化層厚度在3-4nm,由于在柵氧化物層上施加高電場(chǎng),電子通過(guò)Fowler-Nordheim隧道進(jìn)入氧化物層的導(dǎo)帶而產(chǎn)生的/G。
    隨著晶體管長(zhǎng)度和電源電壓的減小,柵極氧化物的厚度也必須減小,以維持對(duì)溝道區(qū)域的有效柵極控制。不幸的是,由于電子的直接隧穿會(huì)導(dǎo)致柵極泄漏呈指數(shù)級(jí)增加。
    目前可以使用高K介電材料(如TiO2和Ta2O5),替代SiO2作為柵極絕緣體介質(zhì)層。
    這種方法可以克服柵極漏電流,并同時(shí)對(duì)其柵極保持良好的控制。
    亞閾值泄漏電流
    :指溝道處于弱反型狀態(tài)下的源漏電流,是由器件溝道少數(shù)載流子的擴(kuò)散電流引起的。當(dāng)柵源電壓低于閾值電壓Vth時(shí),器件不會(huì)馬上關(guān)閉,而是進(jìn)入了“亞閾值區(qū)”而IDS成了VGS的指數(shù)函數(shù)。
    在目前的CMOS技術(shù)中,亞閾值泄漏電流ISUB會(huì)比其他泄漏電流分量大得多。這主要是因?yàn)楝F(xiàn)代CMOS器件中的VT相對(duì)較低。
    MOS管泄漏電流
    隧穿柵極氧化層漏電流
    在短溝道器件中,薄柵極氧化物會(huì)在 SiO2 層上產(chǎn)生高電場(chǎng)。由于高電場(chǎng)作用,低氧化物厚度會(huì)導(dǎo)致電子從襯底隧穿到柵極,同時(shí)從柵極通過(guò)柵極氧化物,隧穿到襯底,進(jìn)而形成柵極氧化物的隧穿電流。
    MOS管泄漏電流
    (a)是一個(gè)平帶 MOS 晶體管,即其中不存在電荷。
    當(dāng)柵極端子正偏置時(shí),能帶圖會(huì)發(fā)生變化,如圖(b)。強(qiáng)烈反轉(zhuǎn)表面處的電子隧道進(jìn)入或穿過(guò) SiO 2層,從而產(chǎn)生柵極電流。
    另一方面,當(dāng)施加負(fù)柵極電壓時(shí),來(lái)自 n+ 多晶硅柵極的電子隧道進(jìn)入或穿過(guò) SiO 2層,從而產(chǎn)生柵極電流,如圖 (c) 所示。
    〈烜芯微/XXW〉專(zhuān)業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷(xiāo)省20%,上萬(wàn)家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信,由我們的銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號(hào)碼:18923864027(同微信)
     
    QQ:709211280

    相關(guān)閱讀
    主站蜘蛛池模板: 无码一区国产欧美在线资源 | 国产99RE在线观看69热 | 97色伦图区97色伦综合图区 | 青青草狠狠干 | 久久三级网站 | 1788vv视频 | 全身无赤裸裸美女网站 | 交换邻居波多野结衣中文字幕 | 亚洲成人黄色在线 | 日韩影院久久 | 中文字幕在线观看网址 | 亚洲国产成人综合 | 老湿机一区午夜精品免费福利 | 亚洲精品国产一区二区贰佰信息网 | 短篇合集纯肉高H深陷骚 | 人人碰79免费视频 | 门事件快播| 玩高中女同桌肉色短丝袜脚文 | 国产高清免费视频免费观看 | yw193龙物免费官网在线 | 老子午夜伦不卡电影院 | 果冻传媒在线看免费高清 | 久久精品视频在线看15 | 麻豆国产人妻欲求不满 | 老色69久久九九精品高潮 | 国产免费久久爱久久啪 | 亚洲人成人毛片无遮挡 | 贵妃高h荡肉呻吟np杨玉环 | 欧美在线亚洲综合国产人 | 红桃视频国产AV | china18一19 第一次 | 国产视频成人 | 女人高潮被爽到呻吟在线观看 | 国产成人无码免费精品果冻传媒 | 国产这里有精品 | 凌晨三点免费WWW | 国产精品A久久777777 | 国产婷婷一区二区在线观看 | 亚洲欧美一区二区三区久久 | 强被迫伦姧惨叫VIDEO | 免费乱理伦片在线观看夜 |