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CMOS傳輸門由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS管并聯(lián)構(gòu)成，傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)。

傳輸門工作原理

TP和TN是結(jié)構(gòu)對(duì)稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為-5V到+5V。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓。兩管的柵極由互補(bǔ)的信號(hào)電壓（+5V和-5V）來(lái)控制，分別用C和!C表示。

傳輸門的工作情況如下：當(dāng)C端接低電壓-5V時(shí)TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN不導(dǎo)通。同時(shí)、TP的柵壓為+5V，TP亦不導(dǎo)通。可見，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開關(guān)是斷開的。為使開關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。此時(shí)TN的柵壓為+5V，vI在-5V到+3V的范圍內(nèi)，TN導(dǎo)通。同時(shí)TP的棚壓為-5V，vI在-3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通。

由上分析可知，當(dāng)vI<+3V時(shí)，僅有TN導(dǎo)通，而當(dāng)vI>-3V時(shí)，僅有TP導(dǎo)通當(dāng)vI在-3V到+3V的范圍內(nèi)，TN和TP兩管均導(dǎo)通。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說(shuō)，當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。這是CMOS傳輸出門的優(yōu)點(diǎn)。在正常工作時(shí)，模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級(jí)的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)。

傳輸門電路圖

傳輸門或模擬開關(guān)被定義為一種電子元件，它將選擇性地阻止或傳遞從輸入到輸出的信號(hào)電平。該固態(tài)開關(guān)由pMOS晶體管和nMOS晶體管組成。控制柵極以互補(bǔ)方式偏置，因此兩個(gè)晶體管要么打開，要么關(guān)閉。

當(dāng)節(jié)點(diǎn)A上的電壓為邏輯1時(shí)，互補(bǔ)邏輯0施加于節(jié)點(diǎn)/A，允許兩個(gè)晶體管在IN到OUT處傳導(dǎo)和傳遞信號(hào)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)/A上的電壓為邏輯0時(shí)，互補(bǔ)邏輯1施加到節(jié)點(diǎn)A，關(guān)閉兩個(gè)晶體管，并在IN和OUT節(jié)點(diǎn)上強(qiáng)制高阻抗條件。這種高阻抗條件代表DS3690通道可能反映下游的第三種“狀態(tài)”（高、低或高阻態(tài)）。

原理圖（圖1）包括IN和OUT的任意標(biāo)簽，因?yàn)槿绻@些標(biāo)簽被反轉(zhuǎn)，電路將以相同的方式工作。這種設(shè)計(jì)提供了真正的雙向連接，而不會(huì)降低輸入信號(hào)。

傳輸門的公共電路符號(hào)描述了電路操作的雙向性質(zhì)（圖 2）。

傳輸門的用途：

傳輸門通常用作邏輯電路的構(gòu)建模塊，例如D鎖存器或D觸發(fā)器。作為獨(dú)立電路，傳輸門可以在熱插入或拔出期間將一個(gè)或多個(gè)組件與實(shí)時(shí)信號(hào)隔離。在安全應(yīng)用中，它們可以有選擇地阻止關(guān)鍵信號(hào)或數(shù)據(jù)在未經(jīng)適當(dāng)硬件控制授權(quán)的情況下傳輸。

圖3中的連接方案設(shè)計(jì)用于隔離微處理器和存儲(chǔ)器組件之間的I/O總線，以防存儲(chǔ)器被移除。SRAM以物理方式安裝在可移動(dòng)存儲(chǔ)卡上;DS3690傳輸門用于隔離通過(guò)連接器路由的各種信號(hào)。

SRAM的接地連接通過(guò)連接器反饋，以下拉DS3690芯片使能（/CE）引腳。此操作在安裝存儲(chǔ)卡時(shí)啟用傳輸門。