MSB10D整流橋,MSB10D整流橋參數(shù),MSB10D規(guī)格書(shū)封裝
MSB10D整流橋1A 200V,MSB10D封裝為UMSB,MSB10D整流橋參數(shù),MSB10D規(guī)格書(shū)封裝腳位,MSB10D作用好壞代替
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MSB10D整流橋參數(shù)規(guī)格書(shū)：點(diǎn)擊下載
MSB10D整流橋參數(shù)具體如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重復(fù)峰值反向電壓：200V
Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻斷電壓：200V
Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流電流：1A
Maximum instantaneous forward voltage drop per birdge element at 1.0A VF 1.0A時(shí)最大瞬間正向壓降：1.1V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向電流,每個(gè)二極管的額定直流阻斷電壓：5uA
Operating temperature range TJ 工作溫度范圍：-55 to +150°C
storage temperature range TSTG 儲(chǔ)存溫度范圍：-55 to +150°C
MSB10D整流橋堆封裝，UMSB封裝尺寸：
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