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  • MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹
    • 發布時間:2023-06-20 21:59:16
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    MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹
    MOSFET驅動器的功耗
    對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量,無論充放電過程快或慢(柵極電壓的上升和下降)。因此,MOSFET驅動器的電流驅動能力并不影響由MOSFET柵極的容性負載產生的驅動器功耗。
    MOSFET驅動器的功耗包含三部分:
    1.由于MOSFET柵極電容充電和放電產生的功耗。
    MOSFET驅動器 功耗
    2.由于MOSFET驅動器吸收靜態電流而產生的功耗。
    MOSFET驅動器 功耗
    3.MOSFET驅動器交越導通(穿通)電流產生的功耗。
    MOSFET驅動器 功耗
    從上述公式推導得出,三部分功耗中只有一個與MOSFET柵極電容充電和放電有關。這部分功耗通常是最高的,特別在很低的開關頻率時。
    為了計算公式1的值,需要知道MOSFET柵極電容。MOSFET柵極電容包含兩個電容:柵源電容和柵漏電容(密勒電容)。
    通常容易犯的錯誤是將MOSFET地輸入電容(CISS)當作MOSFET總柵極電容。確定柵極電容的正確的方法是看MOSFET數據手冊中的總柵極電容(QG)。這個信息通常顯示在任何MOSFET的電氣特性表和典型特性曲線中。
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