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  • MOSFET可靠性測試圖文介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-13 19:04:41
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    MOSFET可靠性測試圖文介紹
    HTRB 高溫反偏測試
    高溫反偏測試主要用于驗(yàn)證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流,考驗(yàn)對象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
    測試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-108
    測試條件為:Tj = max, Vds=80% of Vdsmax, Vgs=0
    測試原理圖如下:
    MOSFET 測試
    在測試中,需持續(xù)監(jiān)測MOSFET源極-漏極的漏電流,如果漏電流超過 電源 設(shè)定上限,則可以判定為失效。
    HTGB 高溫門極反偏測試
    高溫門極反偏測試主要用于驗(yàn)證柵極漏電流的穩(wěn)定性,考驗(yàn)對象是MOSFET柵極氧化層。
    測試標(biāo)準(zhǔn): JESD22-108
    測試條件為:Tj = max, Vgs=100% of Vgsmax, Vds=0
    測試原理圖如下:
    MOSFET 測試
    在測試中,需持續(xù)監(jiān)測門極的漏電流和門極電壓,若這兩項(xiàng)參數(shù)超出指定規(guī)格,則MOSFET將不能通過此項(xiàng)測試。
    H3TRB 高溫高濕反偏測試
    高溫高濕反偏測試,也就是大家熟悉的雙85測試,主要用于測試溫濕度對功率器件長期特性的影響。
    測試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-101
    測試條件為:1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度85℃,相對濕度85%,VCE=100V
    測試原理圖如下:
    MOSFET 測試
    在這一項(xiàng)測試中,施加的電場主要用于半導(dǎo)體表面離子積累和極性分子的驅(qū)動(dòng)力,但是為了避免測試過程中漏電流產(chǎn)生的溫升降低相對濕度,所以對于MOSFET器件,一般選用100V做為測試電壓,這樣能將芯片的自加熱溫度控制在2℃以內(nèi)。
    應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)表明,許多現(xiàn)場失效與濕度有著不可分割的關(guān)系,因此引入了高壓高溫高濕反偏測試的討論,即HV-H3TRB測試。隨著MOSFET芯片的技術(shù)更新以及部分高可靠性應(yīng)用的要求,測試電壓可調(diào)整為阻斷電壓的100%,保證MOSFET在高濕度應(yīng)用情況下具有更高的可靠性。
    HTSL 高溫存儲(chǔ)測試/LTSL 低溫存儲(chǔ)測試
    高溫存儲(chǔ)測試和低溫存儲(chǔ)測試主要用于驗(yàn)證MSFET封裝結(jié)構(gòu)和材料的完整性。
    測試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-103
    測試條件為:高溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:125℃;低溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:-40℃
    測試原理圖如下:
    MOSFET 測試
    測試前后需對比MOSFET靜態(tài)性能參數(shù),并檢查封裝外觀是否發(fā)生異常。
    IOL 間歇運(yùn)行壽命測試
    對比溫度循環(huán),在間歇運(yùn)行壽命測試中,測試樣品通過流過半導(dǎo)體的電流進(jìn)行主動(dòng)加熱至最高目標(biāo)溫度,然后關(guān)斷電流,通過風(fēng)冷將樣品主動(dòng)冷卻到最低溫度。循環(huán)時(shí)間大約為2分鐘。此項(xiàng)測試的目的是確定MOSFET在特定條件下的開關(guān)循環(huán)次數(shù)是否符合規(guī)定。
    測試標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750 : 1037
    測試條件為:Ta=25°C, ΔTj>105°C, on/off=2min
    測試原理圖如下:
    MOSFET 測試
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