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MOSFET帶負(fù)載功率能力圖文介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-05 17:21:09
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MOSFET帶負(fù)載功率能力圖文介紹
一般來(lái)說(shuō)MOS管規(guī)格書中會(huì)給出功耗額定值。然而,這一般是在 25℃時(shí)的參數(shù)。實(shí)際應(yīng)用中MOS管通常具有較高的溫度,對(duì)于功率MOS而言,其溫度可以輕松達(dá)到 100℃。
MOS管 功率
無(wú)散熱片的MOS功率能力:
Pcapability = (Tjmax – Tamb) / Rthja
帶散熱器的MOS功率電源能力:
Pcapability = (Tjmax – Tcase) / (Rthjc + Rthchs + Rthhsa)
其中:
Tjmax – 規(guī)格書中規(guī)定的MOS最大結(jié)溫
Tamb – 工作環(huán)境溫度
Rthja – 結(jié)到環(huán)境的熱阻
Tcase – MOSFET的外殼溫度
Rthjc – 結(jié)到外殼的熱阻
Rthchs – 外殼到散熱器的熱阻
熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù),熱阻越大,散熱越差,對(duì)于器件而言,如果沒(méi)加散熱器,一般只考慮結(jié)到空氣的熱阻,如果加了散熱器,則需考慮結(jié)到外殼,以及外殼到空氣的熱阻。
MOS管 功率
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