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  • 集成電路,MOS管的亞閾值區介紹
    • 發布時間:2023-02-21 17:16:06
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    集成電路,MOS管的亞閾值區介紹
    Vds與Vdsat的關系
    Vds > Vdsat時,region變為2,為了保證PVT下電路仍處于飽和區,需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
    MOS管 亞閾值區
    作圖步驟詳見前文
    在長溝道工藝(大約是大于4um)中,Vdsat=Vov, 過驅動電壓Vov=Vgs-Vth,當Vds > Vdsat時,MOS管的溝道夾斷(pinch off),電流飽和。
    但在先進工藝中,Vdsat偏離了Vov,也就是小于Vov,這是因為速度飽和效應,Vds達到Vdsat而還沒有達到Vov時,電流就飽和了。此時,溝道還沒有夾斷。
    速度飽和效應:溝道場強
    MOS管 亞閾值區
    足夠強時,多子漂移速度為
    MOS管 亞閾值區
    也就是速度達到飽和,為定值Vsat,平方律公式變為了一次的。
    使管子工作在亞閾值區的目的:
    相同電流下,亞閾值區的Vdsat小,gm小,等效輸入噪聲電壓小,但同時W/L大,電容大。
    Vgs<Vth約100mV,Vds>3VT【VT=0.026V】,是亞閾值區的飽和區,這時擴散電流為主。
    MOS管 亞閾值區
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