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  • PMOS,NMOS區分,記憶方法,制造工藝介紹
    • 發布時間:2022-11-29 16:07:58
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    PMOS,NMOS區分,記憶方法,制造工藝介紹
    記憶方法、繪圖:
    1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯接的一端均為S源極,另一端為D漏極。符號中三橫線表示三溝道,相聯的兩條對應一端必為S源極;
    2. 符號中箭頭方向代表電子e的移動方向;Ep.N溝道MOS管多數載流子為電子e,工作時電子e流向溝道內側,箭頭向內,PMOS相反;
    3. 寄生二極管方向與箭頭(電子e)方向同向(類似并聯電路電流方向一致);
    4. D漏極、S源極接高電勢一端必定為寄生二極管指向的一端;
    PMOS NMOS 記憶 工藝
    PMOS NMOS 記憶 工藝
    原理:
    PMOS要形成P溝道(PNP),所需載流子為空穴,開關速度慢——【助記】P上面"O"類似空穴;
    NMOS要形成N溝道(NPN),所需載流子為電子e,開關速度快——【助記】N轉90度類似"e";
    特性:
    1. NMOS N溝道載流子為電子e,形成導通溝道需要 + 電荷的吸引,因此高電平導通、低電平關閉;
    2. PMOS P溝道載流子為空穴,形成導通溝道需要 - 電荷吸引,因此低電平導通、高電平關閉;
    注:該方法僅供協助記憶,實際原理并非吸引,而是電場作用下電子在各原子間的移動。
    制造工藝:
    PMOS NMOS 記憶 工藝
    如圖左側為NMOS,右側為PMOS。
    1. PW(P-Well(P阱))、NW(N-Well(N阱)),為NMOS、PMOS的襯底;
    2. 為滿足半導體工藝制程要求,襯底聯接端與源、漏極設計在同一側(為降接觸電阻,接觸位置離子注入濃度高、各接觸點位置Dep金屬硅化物)。
    3.通過相互聯接,可以組成最基礎的邏輯門電路,與門、非門、或門、與非門、或非門、異或門等,從而實現芯片邏輯運算。
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