電力場效應(yīng)晶體管簡介
電力MOS場效應(yīng)管-分為結(jié)型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET） 結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一種單極型的電壓控制全控型器件。
電力場效應(yīng)晶體管特點
電力MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流的，它的特點有：
驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小。
開關(guān)速度快，工作頻率高。
熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR。
電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過10kW的電力電子裝置。
電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
電力MOSFET的種類
按導電溝道可分為P溝道和N溝道。
當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道的稱為耗盡型。
對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道的稱為增強型。
在電力MOSFET中，主要是N溝道增強型。
a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖
b) 電氣圖形符號
電力MOSFET的結(jié)構(gòu)
是單極型晶體管。
結(jié)構(gòu)上與小功率MOS管有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷壳半娏OSFET大都采用了垂直導電結(jié)構(gòu)，所以又稱為VMOSFET （Vertical MOSFET），這大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
按垂直導電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用 V型槽實現(xiàn)垂直導電的VVMOSFET （Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直導電雙擴散MOS結(jié)構(gòu)的DMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
電力MOSFET也是多元集成結(jié)構(gòu)
電力MOSFET的工作原理
截止：當漏源極間接正電壓，柵極和源極間電壓為零時，P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。
導通
在柵極和源極之間加一正電壓UGS，正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子——電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面。
當UGS大于某一電壓值UT時，使P型半導體反型成N型半導體，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導電。
UT稱為開啟電壓（或閾值電壓），UGS超過UT越多，導電能力越強，漏極電流ID越大。
電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性
電力MOSFET的基本特性
靜態(tài)特性
轉(zhuǎn)移特性
指漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系，反映了輸入電壓和輸出電流的關(guān)系 。
ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率被定義為MOSFET的跨導Gfs，即
是電壓控制型器件，其輸入阻抗極高，輸入電流非常小。
電力MOSFET的輸出特性
輸出特性
是MOSFET的漏極伏安特性。
截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）、飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）、非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）三個區(qū)域，飽和是指漏源電壓增加時漏極電流不再增加，非飽和是指漏源電壓增加時漏極電流相應(yīng)增加。
工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。
本身結(jié)構(gòu)所致，漏極和源極之間形成了一個與MOSFET反向并聯(lián)的寄生二極管。
通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。
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