在半導(dǎo)體電子應(yīng)用過程中，場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱MOS管）經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱嚴(yán)重的現(xiàn)象，那么是什么原因才會(huì)導(dǎo)致MOS管嚴(yán)重發(fā)熱？
首先我們需要了解MOS管的構(gòu)造原理，如下圖：
從上圖可以看出，場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步可以劃分為有N溝道器件和P溝道器件，關(guān)于MOS管的詳細(xì)介紹可以通過上文《細(xì)說(shuō)MOS管一》和《細(xì)說(shuō)MOS管二》
結(jié)合細(xì)說(shuō)MOS管一和細(xì)說(shuō)MOS管二的內(nèi)容，我將MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的原因總結(jié)為以下四點(diǎn)：
第一點(diǎn)：電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤；
第二點(diǎn)：MOS管頻率太高，主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了；
第三點(diǎn)：電路板沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片；
第四點(diǎn)：MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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