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  • 怎么選擇合適的MOS管
    • 發(fā)布時間:2020-01-04 14:45:40
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    怎么選擇合適的MOS管
    首先,我們要清楚MOS管的原理,關于MOS管詳情這塊在mos管百科里面的《細說MOS管一》和《細說MOS管二》均有詳細的介紹,如果還不清楚的朋友可以先去了解一下,簡單來說,MOS管屬于電壓控制型半導體元器件,具備輸入電阻高、噪聲低、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作范圍大燈優(yōu)點。
    那么,我們應該怎么去選擇合適的MOS管?
    首先,我們應該先確定要采用N溝道還是P溝道的MOS管,如下圖:
    MOS管
    從上圖可以看出N溝道和P溝道的MOS管存在明顯的差異,比如說當一度MOS管接地,而負載聯接到支線電壓上時,該MOS管就構成了高壓側電門,這時候就應采納N溝道MOS管。反過來當MOS管聯接到總線及負載接地時,就要用低壓側開關。一般會正在某個拓撲中采納P溝道MOS管;
    其次我們將進一步深入確定電壓驅動所需要的額外電壓,或者說是該機件能夠接受的最大電壓,如下圖:
    MOS管
    如上圖所示,MOS管額外電壓越大,這意味著需要選擇的MOS管VDS要求越大,根據MOS管能接受的最大電壓進行不同量度不同選型這一點尤其重要,當然一般情況下,便攜式設施為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC使用為450~600V。烜芯微生產的MOS管耐壓威力強,使用范圍廣,深受廣大用戶青眼,如有需求,
    當額外電壓條件也篩選好后,就要確定MOS管所需要的額外直流電,所謂的額外直流電就是其實就是MOS負載正在一切狀況下可以接受的最大直流電。與電壓的狀況類似,確保所選的MOS管能接受某個額外直流電,即便正在零碎發(fā)生尖峰直流電時。兩個思忖的直流電狀況是陸續(xù)形式和脈沖尖峰。正在陸續(xù)導通形式下,MOS管在于穩(wěn)態(tài),這時直流電陸續(xù)經過機件。脈沖尖峰是指有少量電涌(或者尖峰電流)流過機件。一旦肯定了該署環(huán)境下的最大直流電,只要間接取舍能接受某個最大直流電的機件便可。
    選好額外直流電后,還必需打算導通消耗。正在實踐狀況下,MOS管并沒有是現實的機件,由于正在導熱進程中會有動能消耗,這稱之為導通消耗。MOS管正在“導通”時就像一度可變電阻,由機件的RDS(ON)所確定,并隨量度而顯著變遷。機件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)打算,因為導回電阻隨量度變遷,因而功率耗損也會隨之按對比變遷。對于MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。留意RDS(ON)電阻會隨著直流電細微下降。對于于RDS(ON)電阻的各組電氣參數變遷可正在打造商需要的技能材料表中查到。
    接下來就要判斷的條件就是系統(tǒng)所需要的散熱要求,這種情況下需要考慮兩種沒有不同的情況,即最壞狀況和真實狀況。
    MOS管
    關于MOS管散熱這一塊,小編優(yōu)先建議采納對準于最壞狀況的處理后果,由于某個后果需要更大的保險余量,能確保零碎沒有會生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量數據;機件的結溫等于最大條件量度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大條件量度+[熱阻×功率耗散])。依據某個式子可解出零碎的最大功率耗散,即按界說相同于I2×RDS(ON)。咱們已將要經過機件的最大直流電,能夠打算出沒有同量度下的RDS(ON)。此外,還要辦好通路板及其MOS管的散熱。
    山崩擊穿是指半超導體機件上的反向電壓超越最大值,并構成強磁場使機件內直流電增多。晶片分寸的增多會進步防風崩威力,最終進步機件的穩(wěn)重性。因而取舍更大的封裝件能夠無效預防山崩。
    最后的判斷條件就是MOS管的開關性能,如下圖:
    MOS管
    從上圖可以看出,影響MOS管的開關性能因素有很多,最主要的還是電極/漏極、電極/源極及漏極/源極庫容這三方面的參數。電容器每次開關過程度會進行充電,這意味著在電容器會產生開關損耗,所以MOS管的開關速度就會降低,從而影響器件的效率,所以在挑選MOS管過程中還需要判斷計算出開關過程中器件的總損耗,要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。MOS管開關的總功率可用如下方程表達:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響最大。
    綜合而言,要挑選合適的MOS管,要采納N溝道MOS管還是P溝道管MOS、MOS管的額外電壓及額外直流電、器件系統(tǒng)的散熱要求和MOS管的開關性能四大方面來作出相應的判斷。
    關于如何挑選合適的MOS管今天就介紹到這里,希望能幫到大家。
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